中 낸드 추격에 맞불…삼전닉스, 중국 공장 고도화 착수

[이데일리 김소연 기자] 삼성전자와 SK하이닉스가 중국 내 낸드플래시 공장의 공정 고도화에 착수한다. 중국 양쯔메모리(YMTC)의 추격에 맞서 고적층 낸드 생산으로 기술 경쟁력과 수익성을 높이려는 전략이다.

21일 업계에 따르면 삼성전자는 중국 시안 2공장에서 286단 9세대(V9) 낸드플래시 생산을 추진하고 있다. 삼성전자는 2023년부터 시안 공장의 주력인 128단 6세대(V6) 낸드 생산라인을 236단 8세대(V8) 공정으로 전환하는 작업을 진행해 왔다. 이번 V9 전환 역시 기존 생산시설의 공정을 고도화하기 위한 것으로, 삼성전자는 미국의 대중국 반도체 장비 수출 규제를 준수하면서 미국 정부와의 협의 아래 관련 투자를 진행하고 있다는 설명이다.

SK하이닉스도 중국 다롄 공장의 생산시설 확충을 추진하고 있다. SK하이닉스의 손자회사인 솔리다임은 인텔로부터 인수한 다롄 공장에서 낸드플래시를 생산하고 있으며 현재 추가 장비 도입을 진행 중이다. SK하이닉스는 인수 이듬해인 2022년 다롄 2공장 착공에 들어가 2023년 건설을 마쳤으나 당시 메모리 업황 침체로 장비 반입을 미뤄왔다. 최근에는 미국 정부의 승인을 받아 유휴공간에 낸드 생산을 위한 장비를 설치하고 있는 것으로 알려졌다.

국내 메모리 기업들이 중국 생산시설 고도화에 나서는 것은 기존 설비를 활용해 생산 효율성과 원가 경쟁력을 높이기 위해서다. 구형 낸드 생산라인을 고적층 공정으로 전환하면 동일한 웨이퍼에서 생산할 수 있는 메모리 용량이 늘어나 생산성이 개선된다. 특히 미국의 대중국 반도체 장비 수출 규제로 현지 투자에 제약이 있는 만큼 기존 생산시설을 최대한 활용하는 것이 중요해지고 있다.

삼성전자 시안 반도체 공장 전경 (사진=삼성전자)

중국 업체들의 가파른 추격도 공정 고도화를 서두르는 배경으로 꼽힌다. 시장조사업체 옴디아에 따르면 올해 2분기 글로벌 낸드플래시 시장에서 삼성전자의 점유율은 28.1%로 집계됐다. 2024년과 2025년 30%를 웃돌았던 점유율이 20%대로 내려온 것이다. 반면 YMTC는 2024년 8%에서 지난해 10.7%, 올해 1분기 14.0%, 2분기 14.2%로 점유율을 꾸준히 확대하고 있다.

중국 내 시장에서는 이미 점유율 역전이 나타났다. 올해 2분기 중국 낸드 시장에서 YMTC의 점유율은 38.7%로 삼성전자(33.4%)를 앞질렀다. 중국 업체들이 자국 시장을 기반으로 빠르게 입지를 넓히면서 글로벌 시장에서도 국내 기업들의 점유율을 잠식할 가능성이 커지고 있는 셈이다.

중국 내 시장에서만 보면 이미 양쯔메모리는 삼성전자를 앞질렀다. 중국 내 시장에서 올해 2분기 기준 삼성전자 점유율은 33.4%인데 반해 양쯔메모리는 38.7%에 달한다.

특히 낸드플래시는 D램보다 중국 업체들이 상대적으로 빠르게 기술 격차를 좁힐 수 있는 분야로 평가된다. D램은 회로 미세화와 정밀한 공정 제어가 핵심인 반면, 낸드는 메모리 셀을 수직으로 쌓는 고적층 기술을 중심으로 발전해 왔다. 김형준 차세대지능형반도체사업단장(서울대 명예교수)은 “중국의 낸드 추격은 매우 가까이 왔다”며 “한국 메모리와 1~2년 격차가 있을 뿐”이라고 설명했다.

업계 한 관계자는 “인공지능(AI) 시대 낸드 수요가 빠르게 늘어나는 만큼 국내 메모리 기업들도 중국 공장의 효율화와 수익성 제고에 나설 수밖에 없다”며 “미국의 대중국 규제를 준수하면서도 현지 생산시설을 최대한 활용할 수 있는 방안을 찾고 있는 것”이라고 설명했다.