메모리 생산능력 확 끌어올린 中 CXMT…글로벌 3강 흔든다

[이데일리 공지유 기자] 중국 최대 D램 제조사인 CXMT가 공격적인 증설을 통해 메모리 생산능력을 끌어올리며 ‘메모리 3강’ 체제를 위협하고 있다. PC와 스마트폰용 범용 D램에서 높은 수익성을 올리고 있는 CXMT가 향후 고대역폭메모리(HBM) 개발까지 속도를 내면서, 고부가 메모리 경쟁이 한층 심화할 것으로 보인다.

CXMT 로고.(사진=로이터)

웨이퍼 캐파 늘리는 CXMT…3위 마이크론 바짝 추격

6일 미국 반도체 분석업체 세미애널리시스에 따르면 중국 CXMT의 올해 연말 기준 웨이퍼 생산능력은 월간 35만장에 달할 것으로 추정된다. 이는 글로벌 3위 메모리 업체인 미국 마이크론(38만5000장)과 비교했을 때 불과 3만5000장 차이 나는 수준이다.

CXMT는 현재 중국 상하이 증시 상장을 추진하고 있다. 295억위안(약 6조6600억원)을 조달해 차세대 D램 연구개발(R&D), 생산라인 대규모 증설 등으로 경쟁력을 끌어올리겠다는 전략이다. 업계에서는 CXMT가 상장 이후 내년 상하이를 비롯한 생산공장 증설을 통해 웨이퍼 생산능력을 올해 월 35만장에서 내년 42만장, 2028년에는 50만장까지 2년 사이 42% 이상 확대할 것으로 전망하고 있다.

CXMT가 공격 증설에 나서는 것은 인공지능(AI) 서버 투자 확대에 따른 D램 메모리 품귀 현상이 지속하고 있기 때문이다. 삼성전자와 SK하이닉스, 마이크론 등 글로벌 메모리 3사는 HBM 같은 AI 서버 수요에 대응한 고부가 메모리 생산에 집중하고 있다.

그러는 사이 PC와 스마트폰에 사용되는 범용 D램 품귀 현상이 심화했고, DDR4와 DDR5 등 범용 D램의 폭발적인 수요에 힘입어 CXMT가 수혜를 고스란히 받고 있는 상황이다. 애플 등 글로벌 빅테크마저 메모리 공급난을 해소하기 위해 CXMT로부터 반도체를 조달하는 방안까지 검토하고 있다. 시장조사업체 카운터포인트리서치에 따르면 CXMT의 올해 1분기 글로벌 D램 시장 점유율은 8%로 전년 동기 대비 두배 이상 확대됐다. 올해 1분기 영업이익률도 70%에 달한다.

지난달 29일 경기도 용인시 용인반도체클러스터 일반산업단지 공사현장의 모습.(사진=연합뉴스)

HBM 기술력 끌어올리는 中…韓·美도 ‘증설 경쟁’ 대응

현재까지 CXMT 웨이퍼 생산능력은 대부분 범용 D램에 집중돼 있지만, 상장 이후 대규모 증설을 통해 HBM 웨이퍼 생산능력도 크게 높아질 것으로 관측된다. 중국 정부가 고부가 반도체 기술 자립에 천문학적인 지원을 쏟아붓고 있기 때문이다. CXMT는 4세대 HBM3과 5세대 HBM3E 개발에 사활을 걸고 있다. CXMT는 글로벌 AI 칩 기업들의 요구에 대응하기 위해 내년 HBM3E 제품을 양산하는 것을 목표로 하고 있다. 세미애널리시스는 CXMT의 웨이퍼 생산능력이 내년 월간 5만5000장에서 2028년 10만장으로 80% 이상 늘어날 것으로 전망했다.

중국 기업들은 아직 최첨단 반도체 생산 장비인 극자외선(EUV) 노광장비의 중국 반입이 제한돼 있어, HBM 등 선단기술에서 수율을 끌어올리기 어렵다. 다만 상장을 통해 대규모 자금을 확보해 기술 개발에 속도를 낼 경우 이같은 격차가 좁혀질 수 있다는 분석이 나온다. 김형준 서울대 명예교수(차세대지능형반도체사업단장)는 “아직 기술적으로는 중국과 삼성전자·SK하이닉스 등의 격차가 2~3년 난다”면서도 “IPO를 통해 생산능력을 키우고, 증설과 R&D를 통해 추격 속도가 빨라지는 것은 우려할 점”이라고 말했다.

한편 메모리 공급 부족이 장기화할 것이라는 전망이 힘을 얻으면서, CXMT뿐 아니라 메모리 3사 역시 증설 경쟁에 나서고 있다. 마이크론은 지난 4일 일본 히로시마현에서 신규 팹 기공식을 열었다. 마이크론은 1조5000억엔(약 14조1817억원)을 투자할 계획이다. 삼성전자와 SK하이닉스는 호남 반도체 클러스터에 각각 400조원을 투자하겠다는 계획을 발표했다.