中 CXMT, HBM 쏠림에 반사이익…R&D·장기계약으로 삼성·SK 추격 고삐

[이데일리 송재민 기자] 중국 최대 D램 업체 창신메모리(CXMT)가 올해 3분기 매출이 전년 동기 대비 600% 넘게 급증하는 등 인공지능(AI)발 메모리 호황의 수혜를 누렸다. 삼성전자와 SK하이닉스가 고대역폭메모리(HBM) 등 고부가 제품에 생산능력을 집중하면서 범용 D램 공급 부족이 심화된 영향이다. CXMT는 실적 개선을 발판으로 연구개발(R&D) 투자를 늘리고 장기공급계약을 추진하며 국내 업체들과의 경쟁력 격차 좁히기에 나서고 있다.

(사진=연합뉴스)

2일 업계에 따르면 CXMT의 올해 3분기 매출은 1187억1000만위안(약 24조원)으로 전년 동기 대비 613.2% 증가했다. 순이익은 544억위안(약 11조원)으로 흑자 전환했고 매출총이익률은 89.53%를 기록했다. AI 데이터센터 투자 확대로 삼성전자와 SK하이닉스, 마이크론 등이 HBM 생산을 확대하면서 범용 D램 공급이 부족해진 데 따른 반사이익으로 풀이된다. 메모리 가격 상승과 판매량 확대도 실적 개선을 뒷받침했다.

주목할 점은 CXMT가 이번 호황을 기술 경쟁력 강화와 안정적인 수요 확보의 기회로 활용하고 있다는 것이다. CXMT의 3분기 R&D 투자액은 42억1200만위안(약 8500억원)으로 전년 동기 대비 53.8% 증가했다. 올해 1~3분기 누적 투자액도 110억7100만위안으로 73% 늘었다. 국내 업체들과 기술 격차가 여전한 상황에서 연구개발 투자를 확대해 차세대 메모리 시장 진입을 앞당기려는 것으로 해석된다.

CXMT는 최근 수직 채널 기반 4F² 구조를 적용한 6세대 D램 공정의 엔지니어링 샘플 검증을 완료했다. 연말에는 서버용 DDR5 RDIMM 시제품을 고객사에 공급할 계획이다. 저전력 D램인 LPDDR6 양산에도 돌입했으며 HBM3E의 제한적 생산도 추진하고 있다. 다만 HBM3E 수율이 20~30% 수준으로 알려지는 등 첨단 메모리 분야에서는 삼성전자와 SK하이닉스에 비해 기술 격차가 여전하다.

기술 개발과 함께 장기적인 판매처 확보에도 나서고 있다. CXMT는 지난 6월 중국 텐센트와 200억위안(약 4조원) 이상의 다년간 D램 공급계약을 체결했다. 지난달 30일 실적설명회에서는 여러 주요 고객사와 추가 장기공급계약을 협의하고 있다고 밝혔다. CXMT 측은 “현재 여러 주요 고객사와 장기공급계약을 협의하고 있으며, 이를 통해 중장기적으로 안정적인 수요를 확보할 계획”이라고 설명했다. 메모리 가격 변동성이 큰 시장에서 장기 수요를 확보해 투자 기반을 안정화하려는 전략으로 풀이된다.

삼성전자와 SK하이닉스 역시 HBM4 등 고부가 제품 중심으로 생산 전략을 강화하면서 범용 D램 가격 상승의 수혜를 누리고 있다. 당장은 CXMT가 첨단 메모리 분야에서 국내 업체들과 격차를 좁히기 쉽지 않지만, 범용 D램 시장에서 생산능력과 고객 기반을 확대할 경우 향후 가격 경쟁에 영향을 미칠 가능성이 있다.

업계 한 관계자는 “지금은 삼성전자와 SK하이닉스도 범용 D램 가격 상승의 수혜를 누리고 있지만, CXMT가 호황기에 확보한 자금을 기술 개발과 고객사 확보에 투입하고 있다는 점을 주목해야 한다”며 “중장기적으로 중국 업체의 생산능력이 확대되면 범용 D램 시장에서 경쟁이 더욱 치열해질 수 있다”고 말했다.