4~6일(현지시간) 사흘간 대만 타이베이에서 열리는 반도체 산업 전시회인 세미콘 타이완에 삼성전자(005930)와 SK하이닉스(000660)의 사장급 인사들이 처음으로 참석했다. 이들은 차세대 고대역폭메모리(HBM) 기술 개발 현황을 설명하면서, 글로벌 기업들과 협력해 AI 메모리의 미래를 개척하겠다고 목소리를 높였다.
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HBM4부터는 그래픽처리장치(GPU)와 HBM을 연결하는 베이스 다이의 역할이 중요해진다. 베이스 다이는 D램을 쌓아 만드는 HBM 밑단의 핵심 부품으로, HBM4부터 베이스 다이에 고객의 요구에 따른 맞춤형 기능을 넣기 위한 로직 공정을 거치게 된다. 특히 삼성전자는 메모리부터 파운드리, 패키징을 모두 하는 종합반도체 기업으로 원스톱 턴키(일괄생산) 전략으로 고객사를 사로잡겠단 구상이다.
이 사장은 “기존 메모리 공정만으로는 HBM의 성능을 높이는 데 한계가 있기 때문에 로직 기술을 결합해야 한다”며 “삼성전자는 파운드리와 시스템LSI를 자체적으로 보유하고 있어 이 분야에서 가장 강력한 위치에 있다”고 했다.
이 사장은 “삼성전자는 업계 선두주자들과 협력해 AI 메모리 기술의 미래를 함께 개척할 것”이라며 “파트너사들과의 긴밀한 협력을 통해 기술 혁신을 이끌고, 리더십을 강화하겠다”고 언급했다.
김주선 SK하이닉스 AI인프라 담당 사장은 이날 CEO 서밋에서 ‘AI 메모리 기술의 새로운 가능성을 열다’를 주제로 연설에 나섰다. 김 사장은 “HBM4부터는 TSMC와의 협업을 통해 생산할 예정”이라며 차세대 메모리 제품을 순조롭게 개발하고 있다고 강조했다. 그는 “SK그룹은 반도체를 중심으로 AI 인프라를 구축하며 AI 분야 글로벌 리더가 되기 위해 집중하고 있다”며 “AI 기술을 발전시키기 위해 파트너들과 협력하겠다”고 했다.
SK하이닉스는 올해 초부터 HBM3E 8단 제품을 업계 최초로 공급 중이고, 이달 말부터 HBM3E 12단 제품 양산에 돌입할 계획이다. SK하이닉스는 베이스 다이에 로직기술을 처음으로 적용하는 HBM4부터는 TSMC와 협력을 더 강화하기로 했다.
김 사장은 “AI가 발전해 AGI(인공일반지능) 수준에 다다르기 위해서는 전력과 방열, 메모리 대역폭과 관련한 난제를 해결해야 한다”며 “이를 위해 차세대 메모리 제품인 LPCAMM, CXL, 12GB 고용량 DIMM 등을 착실히 준비하고 있다”고 말했다. 또 용인 반도체 클러스터에 최첨단 생산시설을 구축하고, 미국 인디애나에 첨단 패키지 공장과 연구개발(R&D) 시설을 건설할 계획을 설명하며 주요 고객·파트너들과 협력을 강화하고자 한다는 입장을 보였다.
이번 세미콘 타이완에는 TSMC, 구글, 미디어텍, 마이크로소프트 등 글로벌 반도체 산업을 선도하는 1100여개 기업들이 참가했다. 삼성과 SK 사장급 인사들이 처음 이 행사를 위해 날아온 이유 역시 반도체 시장에서 글로벌 기업과의 협력을 강화하기 위한 목적이 크다.
