삼성·SK, 차세대 저전력 D램 경쟁 치열…中도 가세

[이데일리 공지유 기자] 삼성전자(005930)와 SK하이닉스(000660)가 저전력 모바일 D램인 LPDDR6를 앞세워 차세대 메모리 주도권 경쟁에 나선다. 인공지능(AI) 수요 증가로 저전력 D램이 새로운 격전지로 떠오르고 있는 가운데, 중국 기업들이 특히 저전력 D램에 전력을 다하고 있는 모습이다. 중국 기업의 빠른 기술 추격 속도에 한국 메모리 기업이 위협받을 수 있다는 우려도 나온다.

삼성전자의 LPDDR6.(사진=삼성전자)

22일 업계에 따르면 SK하이닉스는 다음 달 미국 캘리포니아주 샌프란시스코에서 열리는 ‘국제고체회로학회(ISSCC) 2026’에서 차세대 모바일 D램인 LPDDR6를 비롯한 최신 메모리 제품을 선보인다. SK하이닉스는 3월 초 열리는 모바일 월드 콩그세스(MWC) 2026에도 참석해 LPDDR6를 공개할 예정이다.

삼성전자도 ISSCC 2026에서 LPDDR6 등 차세대 D램 기술에 대해 발표할 예정이다. 앞서 삼성전자는 올해 초 미국 라스베이거스에서 열린 세계 최대 정보기술(IT)·가전 전시회 ‘CES 2026’에서 LPDDR6 제품을 공개한 바 있다. 조만간 고객사에 공급이 시작될 전망이다.

LPDDR은 주로 모바일 기기에 탑재되는 저전력 D램 메모리다. 일반 PC나 서버용 D램과 다르게 전력 효율성을 극대화해 스마트폰이나 태블릿 등 기기에 최적화된 제품이다. 최근 생성형 AI와 온디바이스 AI의 확산으로 핵심 부품으로 꼽힌다.

모바일 D램의 경우 동작 속도와 발열을 잡는 것이 핵심 기술이다. SK하이닉스가 내놓은 LPDDR6는 10나노급 6세대(1c) D램 공정 기반으로, 핀당 전송 속도가 높다는 장점이 있다. SK하이닉스는 14.4기가비트(Gbps)에 달하는 LPDDR6 기술도 연구하고 있다. 이는 기존 LPDDR5X(9.6Gbps)보다 50%가량 높아진 것으로, 업계 최고 수준이다.

CES 개막 3일차인 1월 8일(현지시간) 미국 네바다주 라스베이거스 베네시안 컨벤션센터 SK 하이닉스 부스에 LPDDR6 메모리가 전시돼 있다.(사진=연합뉴스)

삼성전자는 LPDDR6에 10나노급 5세대(1b) D램 기술을 적용했다. 10.7Gbps 이상의 속도와 함께 대역폭을 확장한 제품이다. 삼성전자는 특히 전력 소모량을 낮추는 데 집중했다. 반도체 소자의 내·외부 전원 공급을 지능적으로 제어하고 관리하는 스마트 전력 관리 소자(Smart PMIC)와 신규 회로 설계 기술을 적용해 AI 연산 부하에 따른 전력을 동적으로 제어할 수 있도록 했다. 이에 전세대 대비 약 21% 향상된 에너지 효율을 달성하면서도 안정적인 고속 동작을 구현한다는 설명이다.

삼성전자와 SK하이닉스가 차세대 LPDDR6 기술을 선보이면서 주도권 경쟁을 벌이고 있는 가운데, 중국 기업들의 가세가 변수가 될 것이라는 관측이 나온다. 중국 메모리 반도체 기업 창신메모리테크놀로지(CXMT)는 지난해 11월 중국 베이징에서 열린 한 전시회에서 DDR5, LPDDR5X 등 D램 신제품을 선보였다.

CXMT의 이같은 추격은 업계에 충격을 줬다. 현재 한국 메모리 기업이 집중하고 있는 대세는 LPDDR6지만, 예상보다 빠른 속도로 CXMT가 저전력 D램 제품을 잇달아 내놓고 있기 때문이다. CXMT를 비롯한 중국 반도체 업계는 현재 LPDDR6 기술 확보에 속도를 내고 있는 것으로 알려졌다.

이규복 인하대 특임교수는 “하이엔드 시장에서는 국내 기업들의 경쟁력이 여전히 높지만, 품질보다는 가격이 좌지우지하는 보급형 시장에서는 중국 기업이 치고 올라올 수 있다”며 “시장 전반이 재편될 수 있을 것”이라고 말했다.