웨이비스, 335억 BW 발행 결정… 반도체 생산 인프라 구축 본격화

[이데일리 권오석 기자] RF(고주파) 질화갈륨(GaN) 반도체·방산 전문기업 웨이비스(289930)가 335억원 규모의 신주인수권부사채(BW) 발행을 결정했다고 16일 공시했다. 웨이비스 창립 이래 최대 규모의 자금 조달이다.

(사진=웨이비스)

조달 자금은 차세대 RF GaN 반도체 및 응용제품의 통합 생산시설 구축을 위한 선제적 투자를 비롯해 ‘Ku-band’ 및 ‘MMIC’(마이크로파 집적회로) 라인 설비 증설, 신규 생산 인프라 구축 등에 활용할 계획이다.

해당 시설은 천안 테크노파크 인근에 위치하며 초고주파 대역 RF GaN 반도체 생산장비, 군사규격 신뢰성 검증시설, RF 측정 시설 등을 완비해 2027년 초까지 신규 공장 가동 및 본사 이전을 차질 없이 완료할 예정이다.

특히 이번 BW는 무이자 조건과 시가 대비 할인 없는 전환가격 조건 등 기존 주주에게도 우호적인 조건으로 설계됐다는 게 회사 측 설명이다. 특히 콜옵션 행사한도를 35%까지 설정한 점은 향후 기업가치상승에 대한 강한 자신감을 시장에 표명한 것이라고 부연했다.

회사 측에 따르면, 이번 투자에는 IBK캐피탈·삼성증권·SBI인베스트먼트·스마일게이트인베스트먼트 등 다수 기관이 참여했으며 발행 규모를 당초 계획했던 300억원에서 증액했다고 덧붙였다.

웨이비스 관계자는 “고부가가치 사업 영역인 MMIC, FEM, Foundry 분야로의 확장을 가속화하고, 첨단 무기체계용 초고주파 기술 개발 및 생산 최적화를 통해 핵심 국방 반도체의 수급 불안정성 해소에 기여하며, 국방 기술 자립을 이끄는 전략적 파트너로 성장할 것”이라고 강조했다.