'5사장 체제' SK하닉, 넥스트 HBM 찾는다…R&D조직 격상

[이데일리 조민정 기자] SK하이닉스(000660)가 올해 연말 인사에서 첫 사장급 최고기술책임자(CTO)를 배출하며 ‘넥스트 HBM’을 찾기 위한 연구개발(R&D)을 강화한다. 과거 고대역폭메모리(HBM) 개발에 집중한 결과가 지금 나타나고 있는 만큼 R&D 조직을 격상하며 새로운 잭폿을 터뜨릴 준비를 하겠다는 것이다.

SK하이닉스 곽노정 대표이사 사장이 3일 서울 삼성동 코엑스에서 열린 ‘SK AI 서밋 2025’에서 ‘AI 시대, SK하이닉스가 그리는 새로운 비전과 기술’ 을 주제로 기조연설을 진행하고 있다.(사진=SK하이닉스)

3일 업계에 따르면 SK하이닉스는 지난달 30일 2026년 사장단 인사에서 차선용 미래기술연구원장을 신임 사장으로 임명했다. 그동안 미래기술연구원을 이끄는 CTO는 부사장급으로 운영됐는데, 올해 처음으로 사장급 CTO가 탄생했다. 이에 미래기술연구원도 사장이 이끄는 조직으로 격상했다. SK하이닉스는 차 사장의 합류로 곽노정 대표이사 사장, 송현종 코퍼레이트센터 사장, 안현 개발총괄(CDO) 사장, 김주선 AI 인프라 사장 등 ‘5사장 체제’를 4년 만에 갖췄다.

차 사장은 D램 전문가로 HBM 개발을 주도해 온 인물이다. 2019년 3세대 HBM2E를, 2021년 세계 최초로 4세대 HBM3를 개발했다. 차 사장은 10나노급 D램 테크 플랫폼을 도입한 공적을 인정받아 2023년 과학기술훈장 혁신장도 수상했다. 테크 플랫폼은 한 세대 제품에만 국한되지 않고 여러 세대에 적용할 수 있는 ‘기술적인 틀’이다. 1세대(1x) D램에 처음 적용된 이 플랫폼은 2세대(1y), 3세대(1z), 4세대(1a)를 넘어 이후 세대까지 이어지면서 현재 SK하이닉스 D램 기술력의 기반이 됐다. 향후 차 사장이 차세대 미래 개발을, 안현 사장이 이끄는 개발총괄이 상용화를 앞둔 기술 개발을 맡을 전망이다.

차선용 SK하이닉스 미래기술연구원장(사장). (사진=SK하이닉스)

차 사장의 이번 승진은 SK하이닉스가 올해 반도체 주도권을 거머쥔 과정에서 R&D 공적이 컸다는 점을 의미한다. 미래기술연구원은 지금 당장 수익성을 내기보단 향후 5년 뒤, 10년 뒤 미래에 시장 주도권을 쥘 기술을 연구하기 위한 조직이다. HBM도 챗GPT가 등장하기 전까지는 지금처럼 주목받지 못했다. 업계에서는 당시 HBM 개발에 몰두한 결과가 지금 나타나고 있는 만큼 새로운 기술 개발이 중요하다고 보고 있다.

이에 차 사장이 이끄는 미래기술연구원의 책임감이 한층 높아졌다. 이제는 SK하이닉스도 넥스트 HBM을 준비해야 하는 상황이다. 내년부터 삼성전자가 ‘큰 손’ 엔비디아에 6세대 HBM4를 공급할 경우 가격과 물량 협상에서 SK하이닉스의 입지가 이전과 같을 수 없어서다.

SK하이닉스는 맞춤형(커스텀) HBM, AI-D램, AI 낸드 등으로 영역을 세분화해 향후 메모리 시장을 공략한다. 커스텀 HBM은 고객의 요청사항을 반영해 그래픽처리장치(GPU), ASIC(주문형 반도체)에 있었던 일부 기능을 HBM 베이스 다이로 옮긴 제품이다. AI-D램의 경우 △AI-D O(최적화) MRDIMM, 소캠2, LPDDR5R(LPDDR5-RAS) △AI-D B(혁신) CMM(CXL 모듈·컴퓨트 익스프레스 링크), PIM(프로세서 인 메모리) 등으로 주력 제품을 세분화한다.

SK하이닉스 관계자는 “HBM은 HBM4부터 국제반도체표준협의기구(JEDEC·제덱) 버전(표준화)과 고객 맞춤형 버전으로 나뉠 것”이라며 “두 버전이 공존할지는 시장 상황에 따라 바뀔 수 있지만, SK하이닉스는 두 가지가 공존할 것으로 보고 (준비하고) 있다”고 설명했다.