"내년 1c D램 램프업…D램 중 절반 이상 차지"-SK하이닉스 컨콜

[이데일리 조민정 박원주 기자] “10나노급 6세대(1c) D램의 경우 지난해 개발 완료 후 올해 양산을 시작했다. 내년 본격적으로 램프업(가동률 확대)해서 본사에서 생산하는 D램 제품 중 절반 이상을 1c 나노로 활용할 계획이다. 1c 나노 공정 기반의 DDR5, LPDDR5, 그래픽 D램 등 전 제품 라인업을 구축하고 적기 공급해 수익성을 확보할 것이다.

낸드는 계속 수익성 개선에 집중하며 캐파(CAPA, 생산능력) 확장보다는 선단 공정 전환으로 생산성을 개선할 계획이다. 올해도 176단에서 321단으로 점진적인 테크 전환을 추진했다. 내년에는 QLC(쿼드레벨셀) 제품으로 공급을 확대하며 본격적으로 321단 램프업할 것이다. 내년 말 본사의 낸드 생산량 절반 이상을 321단 제품으로 전환할 수 있도록 준비 중이다.

…SK하이닉스(000660) 3분기 컨퍼런스 콜.

SK하이닉스 이천본사. (사진=연합뉴스)