SK하이닉스는 10나노급 6세대(1c) 공정 기반의 DDR5 RDIMM(1cnm)도 세계 최초로 공개했다. 차세대 미세화 공정을 적용한 D램으로 초당 8Gb(기가비트) 동작 속도를 구현한다.
이 밖에 DDR5 MCRDIMM과 DDR5 3DS RDIMM 등 고성능 서버용 모듈을 비롯해 LPDDR5X 여러 개를 모듈화한 LPCAMM2, 세계 최고속 모바일 D램 LPDDR5T 등 온디바이스 AI 기기용 메모리 제품, 차세대 그래픽 D램 GDDR7도 소개했다.
SK하이닉스는 ‘HBM 품질과 신뢰성 향상을 위한 패키지 내 2.5D 시스템에 대한 공동 연구’ 결과도 발표했다. 발표자로 나선 이병도 SK하이닉스 HBM 패키지 TE(테크니컬 인에이블링) TL은 고성능·고효율 HBM 패키지를 개발하기 위해서는 TSMC와의 기술 협업뿐 아니라 여러 업체와의 협업도 중요하다고 강조했다.
SK하이닉스는 앞으로도 OIP 구성원과 꾸준히 협업하고 TSMC와 협력을 지속해 전략적 관계를 강화해 나간다는 방침이다.