SK키파운드리, SK파워텍 인수 성과…SiC 전력반도체 수주 따냈다

[이데일리 공지유 기자] 반도체 위탁생산(파운드리) 기업 SK키파운드리는 고전압 환경에서 높은 신뢰성을 갖춘 실리콘카바이드(SiC) 공정을 개발하고 고객사로부터 제품을 수주했다고 11일 밝혔다. 전력반도체 시너지를 위해 SK파워텍을 인수한 뒤 첫 결실이다.

SK키파운드리 영문 로고.(사진=SK키파운드리)

SK키파운드리가 개발한 SiC 플라나(Planar) 금속 산화막 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET) 공정 플랫폼은 450~2300볼트(V)의 폭넓은 전압 대역을 지원한다. 특히 고전압 동작 환경에서 높은 신뢰성과 안전성 데이터를 확보했다. SK키파운드리는 공정 전반 최적화 등을 통해 수율을 90% 이상으로 높였다. 고객 요구에 맞춰 전기적 특성과 사양을 조정할 수 있는 맞춤형 공정 대응 서비스도 제공한다.

SK키파운드리는 SiC 전문 설계 고객사로부터 1200V급 고전압 제품을 수주해 개발에 착수했다. 해당 공정은 고객사의 산업용 가전에 적용돼 열효율 관리를 도울 것으로 기대된다. 시제품 평가와 신뢰성 검증을 거쳐 내년 상반기 내 본격 양산에 돌입할 계획이다.

이번 SiC Planar MOSFET 공정 플랫폼 개발은 SK키파운드리가 SiC 전문기업 SK파워텍을 인수한 뒤 낸 첫 성과다. SK키파운드리는 차세대 화합물 반도체 경쟁력을 강화하기 위해 지난해 SiC 기반 전력반도체 설계·제조사인 SK파워텍을 인수했다. 지난해 말부터 SiC 기반 화합물 전력반도체 기술 개발을 완료한 뒤 올해부터 본격적으로 파운드리 사업에 나서고 있다.

이동재 SK키파운드리 대표는 “이번 공정 플랫폼 개발은 SK키파운드리가 글로벌 화합물 반도체 시장에서 독자적인 기술 리더십을 확보했음을 보여주는 성과”라며 “차별화된 높은 수율과 신뢰성의 공정을 바탕으로 국내외 고객사 요구에 부응하는 고전압 전력반도체 솔루션을 지속 확대해 나가겠다”고 말했다.