ETRI, 美 아르곤국립연구소와 반도체 기술협력 본격화

[이데일리 김현아 기자] 한국전자통신연구원(ETRI)이 미국 일리노이주에 위치한 아르곤국립연구소(ANL)와 반도체 기술 개발을 위한 상호 협력 체계를 구축했다고 17일 밝혔다.

이번 협력은 ETRI가 보유한 고에너지 입자 검출기용 실리콘 디텍터 개발 기술과 ANL의 상보적 금속산화물 반도체(CMOS) IC 기술을 바탕으로, 우주 환경에서 발생하는 고에너지 입자를 검출하고 분석할 수 있는 새로운 반도체 기술 개발을 목표로 한다.

ETRI-ANL의 반도체 기술협력 MOU 협약식. 좌측 ANL 폴 컨스 디렉터, 우측 ETRI 방승찬 원장이다. 출처=ANL

특히, ETRI는 실리콘 일괄공정이 가능한 국내 유일의 정부출연연구기관으로, 고온·저온·방사선 환경에서도 견딜 수 있는 반도체 기술 개발에 중점을 둘 예정이다.

ETRI 방승찬 원장은 “이번 협약은 ANL의 연구 역량과 ETRI의 기술력을 결합하여 새로운 도약의 기회를 열어줄 것”이라고 전했다. ANL의 폴 컨스(Paul Kearns) 디렉터는 “전자이온충돌기(EIC) 등 다양한 기술 분야로 협력을 확대하여 양국 간 기술 발전에 기여하길 기대한다”고 말했다.

이번 협력을 통해 ETRI는 고온 및 저온 환경과 방사선이 강한 극한 환경에서도 견딜 수 있는 반도체 기술을 확보하고, 이를 우주항공 및 국방 분야에 산업화할 방침이다. 또한 ETRI는 이번 협력 체계 구축을 계기로 반도체 검출기의 국내 제작을 위한 노력도 강화할 예정이다.

한편, ETRI는 이번 협약에 이어 ANL 내 한인 과학자 10여 명과 간담회를 개최해 연구 활동과 국제 R&D 협력에 대한 의견을 교환하며, 향후 상호 협력 방안을 논의했다.