진격의 ‘K-반도체’…10년간 ‘510조+α’ 투자로 초격차 지킨다

문재인 대통령이 13일 경기도 평택시 삼성전자 평택단지 3라인 건설현장에 마련한 야외무대에서 ‘K-반도체 전략 보고’에서 발언하고 있다.(사진=연합뉴스)

[이데일리 문승관 기자] 세계 최대 반도체 생산기지를 구축하겠다는 정부의 청사진이 모습을 드러냈다. 정부는 앞으로 10년간 510조원 이상의 민간 투자를 이끌어내 세계최대의 글로벌 반도체 생산기지를 조성하겠다고 했다. 이를 뒷받침하기 위해 정부는 ‘반도체 특별법’을 제정하고 K-반도체 벨트 조성, 세제·금융·규제 개선 등 강력한 인센티브 제공, 반도체 인력 양성 등을 지원하기로 했다.

문재인 대통령은 13일 삼성전자 평택캠퍼스에서 열린 ‘K-반도체 전략보고 대회’에서 “반도체는 국내 제조업 투자의 45%, 수출의 20%를 차지하는 제1의 산업으로 최대 규모 투자를 통해 한반도 중심에 세계 최고 반도체 생산기지를 구축하겠다”며 “이를 통해 글로벌 공급망을 주도해 나가겠다”고 밝혔다.

[그래픽=이데일리 김정훈 기자]

◇‘510조원+α’ 민간 투자 이끌 ‘규제 개선·반도체 특별법’ 제정

2030년까지 10년간 삼성전자와 SK하이닉스 등 반도체 업계가 투자할 규모는 약 510조원 이상이다. 올해에만 41조8000억원을 투자하기로 해 국내 단일 산업으로는 최대 규모다. 이러한 민간 투자를 적기에 이끌어 내기 위해 정부는 반도체 특별법을 제정하고 적극적인 규제 개선에 나설 계획이다. 반도체 특별법이 만들어지면 사실상의 민간 투자를 이끌어낼 모든 ‘K-반도체 전략’ 지원책이 담긴다. 특별법을 제정해야 세액공제를 비롯한 시설투자지원, 제반 환경구축, 연구개발(R&D), 금융지원, 인재육성 등 실효성 있는 지원프로그램 운영을 할 수 있기 때문이다.

실제로 정부는 이번 전략에서 규제 특례를 비롯해 인력양성, 용수·전력 등 기반시설 지원, 신속투자 지원, 연구개발(R&D) 가속화 방안 등 법적인 구속력을 지닌 종합 대책을 추진하겠다고 했다. 정부는 지금까지 반도체 특별법 제정에 회의적이었다. 관계부처를 포함해 국회와도 논의가 필요한 부분이라며 특별법을 제정하기보다는 종합대책인 ‘K-반도체 벨트’ 수립을 통한 정책지원에 중점을 두겠다고 선을 그어 왔다. 반도체업계는 미국도 특별법을 제정해 반도체 산업을 육성하기로 한 만큼 글로벌 시장을 주도하기 위해서는 제도적인 뒷받침이 반드시 필요하다고 주장해왔다.

업계 한 관계자는 “미국은 반도체 제조설비 투자비용의 40%를 세액공제해주고 있고 유럽연합(EU)도 500억유로 투자, 중국은 법인세를 면제하는 등 주요국이 반도체산업 지원정책 발표하고 있다”며 “우리 정부도 하루속히 파격적인 인센티브 정책을 수립해야 한다”고 요구했다.

결국 정부는 국내·외 산업여건을 고려해 ‘반도체 특별법’ 제정을 추진하겠다며 국회를 비롯해 관계부처와 논의하겠다고 했다. 정부 관계자는 “미국 등 주요국은 반도체 산업의 전략적 육성을 위해 반도체 지원 내용을 법문화했다”며 “미국은 올해 회계연도 국방수권법안(NDAA) 내에 반도체 지원 규정을 담았고 중국은 ‘신시대 집적회로 산업 및 소프트웨어 산업 고품질 발전 추진 정책’에 담아 반도체 산업육성에 나서고 있다”고 말했다.

◇업계 의견 받아들인 정부…파격적 규제개선 약속

이번 전략에서 눈에 띄는 부분은 파격적인 규제개선이다. 반도체 업계가 요구한 주장 대부분을 정부가 받아들였는데 그만큼 글로벌 반도체 시장 상황을 엄중하게 보고 있다는 방증이기도 하다. 업계는 정부에 반도체 제조시설 구축·운영을 규제하는 법안(화학물질관리법, 화학물질평가법, 산업안전보건법, 중대재해기업처벌법, 근로기준법) 개정을 요구했다. 업계는 “반도체 제조시설 신·증설 시 각종 인허가, 전· 용수공급, 폐수처리시설 등 인프라 시설에 대해 신속하고 원활한 공공지원을 위해 이를 규제하는 법안을 완화해야 한다”고 요청했다.

이러한 업계의 요청을 받아들여 정부는 반도체 설비의 신속한 구축을 위해 고압가스안전관리법, 온실가스 배출권 규정, 화학물질관리법 등 규제 합리화에 나서기로 했다. 내년부터 반도체 신·증설 시설에 대해 온실가스 줄이기를 위한 최적가용기법(BAT, Best Available Techniques)을 적용하면 배출권 100% 할당하도록 했다. 반도체 생산설비 신·증설 시 화학물질관리법 인·허가 소요기간을 기존 75일에서 30일로 50% 이상 단축하는 패스트트랙 도입하기로 했다. 공정별로 수십~수백 대 설치한 유사한 설비 중 대표설비를 선정해 검사하면 전체 설비를 인·허가해주기로 했다. 신·증설이 빈번한 업종 특성을 고려해 동종 설비, 같은 작업방식으로 인정되면 신속하게 설치할 수 있도록 도급승인 대상 대표설비 선정기준을 합리화하기로 했다. 반도체 제조공정에 활용(웨이퍼 식각 등)하고 있는 전파응용설비에 대한 운용시점과 변경허가 관련 규제도 완화한다.

◇10년치 반도체 용수 확보…전력 인프라 구축 시 50% 지원

반도체 제조시설에 필수적인 용수물량, 폐수처리, 전력공급 등을 차질없이 수행하기 위해 선제적으로 지원하기로 했다. 평택, 용인 등에 있는 반도체 공장(Fab)의 안정적인 가동을 위해 ‘2040 수도정비기본계획’에 필요한 용수물량을 우선 반영하기로 했다. 이를 통해 용인·평택 등의 10년치 반도체 용수 물량을 확보한다는 계획이다.

가칭 ‘핵심전략기술 관련 반도체 제조시설이 위치한 산단’ 등의 전력 인프라 구축 시 최대 50%(국비 25%, 한전 25%)를 지원하기로 했다. 반도체 제조시설에 필수적인 공공폐수처리시설에 대해 반도체 폐수재활용 R&D 등 간접 지원도 추진한다. 반도체 폐수를 활용한 초순수 생산 R&D 등을 통해 공업용수 재이용률을 극대화하고 현재 프랑스와 일본 등 외국기술에 의존하는 초순수 생산 기능을 2025년까지 자립화할 예정이다. 반도체 제조시설의 용수, 전력, 폐수 등 기반 구축과 관련해 진행상황과 주요애로는 민·관 합동 투자지원단을 통해 지속적으로 관리해나가기로 했다.