SK키파운드리, 4세대 200V 고전압 BCD 공정 출시

[이데일리 공지유 기자] 반도체 위탁생산(파운드리) 기업 SK키파운드리는 최근 4세대 200볼트(V) 고전압 0.18마이크론 BCD 공정을 출시하고 연내 양산을 목표로 제품 개발에 나선다고 28일 밝혔다.

(사진=SK키파운드리)

SK키파운드리가 이번에 선보인 공정은 기존 3세대 대비 전력 효율성과 고온 내구성을 나타내는 특성온저항(Rsp), 항복전압(BVDSS) 특성을 20% 이상 개선한 것이 특징이다. 또 동작 전압별 낮은 온저항(On-Resistance) 소자를 제공해, 칩 면적과 전력 손실을 최소화해 공정 경쟁력을 확보했다.

최근 자동차 전동화와 인공지능(AI) 데이터센터의 확산으로 고전압·고효율 전력 반도체에 대한 시장 수요가 급증하고 있다. 특히 자동차 전압 체계가 기존 12V에서 48V로 전환되고 있으며, AI 서버 및 데이터센터 역시 전력 효율과 밀도를 극대화 하기 위해 380V DC에서 최대 800V DC까지 전압을 높이고 있는 추세다. 이에 따라 100V 이상의 고전압을 안정적으로 견디면서 전력을 효율적으로 제어할 수 있는 공정 기술의 중요성이 커지고 있다.

SK키파운드리의 이번 공정은 고전압 전력 관리 및 변환 칩, 모터 드라이버, LED 드라이버, 전원 공급 게이트 드라이버 등 다양한 제품 개발에 적용 가능하며, 무엇보다 까다로운 자동차용 부품 신뢰성 평가 규격 ‘AEC-Q100 Grade 0’을 충족해 극한의 환경에서도 높은 신뢰성이 요구되는 차량용 전장 부품에도 즉시 적용할 수 있다.

이동재 SK키파운드리 대표는 “AI 서버와 차량 전장 시스템의 고전력화로 100V 이상 BCD 공정 수요가 빠르게 증가하고 있다”며 “향후 전력 반도체 고객 요구에 맞춰 공정 기술을 지속적으로 고도화해 나갈 계획”이라고 말했다.