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EUV 노광장비는 극자외선 광원을 이용해 웨이퍼에 반도체 회로를 그리는 장비다. 7㎚(나노미터=10억분의 1ｍ) 이하 초미세 반도체 공정 구현이 가능해 인공지능(AI), 차세대 이동통신, 자율주행 등에 필요한 최첨단 고성능·저전력·초소형 반도체를 만드는 데 필수적인 장비로 꼽힌다. 현재 전 세계에서 ASML에서만 독점 생산한다.
미이 부사장은 하이 NA EUV를 이용한 반도체 양산 시기는 언급하지 않았다. TSMC의 케빈 장 비즈니스 개발 선임부사장은 2024년에는 하이 NA EUV를 바탕으로 양산을 준비하지 않겠으나 주로 협력사와의 연구에 사용될 것이라고 말했다.
올해 초 미국 인텔이 ASML의 양대 고객인 TSMC와 삼성전자보다 먼저 해당 장비 도입 계약을 맺었다. 당시 인텔은 해당 장비를 가장 먼저 받아 2025년까지 제품 양산에 투입하겠다고 밝혔다.
반도체 컨설팅업체 테크인사이트의 칩 이코노미스트인 댄 허치슨은 “하이 NA EUV는 반도체 기술을 선도하는 차세대 혁신 기술”이라면서 “TSMC가 2024년 보유하는 것은 가장 진보된 기술에 가장 빨리 도달한다는 것을 의미한다”고 평했다.
이날 TSMC는 2025년 양산을 목표로 하는 2나노 공정 기술과 관련해, 속도와 전력 효율 개선을 위해 15년 동안 이른바 ‘나노시트’ 트랜지스터 기술을 개발했으며, 2나노 공정에 최초 적용한다고 밝혔다.
한편 이재용 삼성전자 부회장도 지난 14일 네덜란드 에인트호번에 위치한 ASML 본사를 방문해 ASML 경영진과 EUV 노광 장비의 원활한 수급 방안 등에 대해 논의했다.
