SK하이닉스, 메모리업계 첫 양산용 'High NA EUV' 도입

[이데일리 김정남 기자] SK하이닉스가 메모리 업계 최초로 차세대 D램 생산 장비인 양산용 ‘High(하이) NA EUV’ 장비를 이천 M16팹에 도입했다.

High NA EUV(High Numerical Aperture Extreme Ultraviolet Lithography)는 기존 EUV 보다 더 큰 NA(개구수)를 적용해 해상도를 크게 향상시킨 차세대 노광 장비다. NA는 렌즈가 빛을 얼마나 많이 모을 수 있는지 나타내는 수치다. High NA EUV는 현존 가장 미세한 회로 패턴 구현이 가능해 선폭 축소와 집적도 향상에 핵심 역할을 하는 장비로 꼽힌다.

SK하이닉스(000660)는 3일 네덜란드 ASML의 High NA EUV 장비를 이천 M16팹에 반입하고 기념 행사를 진행했다고 밝혔다. 이번 행사에는 김병찬 ASML코리아 사장, 차선용 SK하이닉스 미래기술연구원장(CTO) 부사장, 이병기 SK히이닉스 제조기술담당 부사장 등이 참석했다.

(사진=연합뉴스)

반도체 제조업체가 생산성과 제품 성능을 높이려면 미세공정 기술 고도화가 필수적이다. 회로를 더 정밀하게 구현할수록 웨이퍼당 칩 생산량이 늘어나고 전력 효율과 성능이 함께 개선되기 때문이다.

SK하이닉스는 지난 2021년 10나노급 4세대(1anm) D램에 EUV를 첫 도입한 이후 최첨단 D램 제조에 EUV 적용을 지속 확대해 왔다. 하지만 미래 반도체 시장에서 요구될 극한 미세화와 고집적화를 위해서는 기존 EUV 장비를 넘어서는 차세대 기술 장비가 필요하다. 이번에 도입한 장비는 ASML의 ‘트윈스캔 EXE:5200B’로, High NA EUV 최초의 양산용 모델이다. 기존 EUV(NA 0.33) 대비 40% 향상된 광학 기술(NA 0.55)로 1.7배 더 정밀한 회로 형성이 가능하고 2.9배 높은 집적도를 구현할 수 있다.

SK하이닉스 관계자는 “이번 장비 도입을 통해 기존 EUV 공정을 단순화하고 차세대 메모리 개발 속도를 높여 제품 성능과 원가 경쟁력을 동시에 확보할 것”이라며 “이를 통해 고부가가치 메모리 시장에서 입지를 강화하고 기술 리더십을 더욱 공고히 할 수 있을 것”이라고 했다. 이 관계자는 또 “치열한 글로벌 반도체 경쟁 환경에서 고객 니즈에 부응하는 최첨단 제품을 신속하게 개발·공급할 수 있는 기반을 마련하게 됐다”고 했다.

김병찬 사장은 “High NA EUV는 반도체 산업의 미래를 여는 핵심 기술”이라며 “SK하이닉스와 긴밀히 협력해 차세대 메모리 반도체 기술 혁신을 앞당길 수 있도록 적극 지원할 것”이라고 했다.

차선용 CTO는 “이번 장비 도입으로 SK하이닉스가 추진 중인 미래 기술 비전을 실현하기 위한 핵심 인프라를 확보하게 됐다”며 “급성장하는 인공지능(AI)과 차세대 컴퓨팅 시장이 요구하는 최첨단 메모리를 가장 앞선 기술로 개발할 것”이라고 밝혔다.