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HBM 대체재 '저전력 D램' 힘주는 CXMT…K 메모리 턱밑 추격

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김소연 기자I 2026.08.02 19:15:02
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CXMT, LPDDR6 승부수…K메모리 초격차 시험대
중국의 우회 전략…HBM 대신 LPDDR 추격 고삐
저전력 D램 지각변동…"韓 기술 초격차 사수해야"

[이데일리 김소연 기자] 중국 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 올해 하반기 저전력 D램인 LPDDR6 양산을 추진하면서 글로벌 메모리업계에 지각변동이 일고 있다. CXMT가 LPDDR6 D램 개발 검증 막바지 단계에 진입하면서 K메모리 추격에 속도를 내고 있기 때문이다.

中, LPDDR6까지 추격…반도체 자립화 속도

CXMT는 2023년 LPDDR5를 출시한 데 이어 지난해 10월 LPDDR5X 양산을 공개했다. 이후 1년도 채 되지 않아 LPDDR6 샘플 공급 단계까지 진입했다. 삼성전자와 SK하이닉스가 올해 하반기 양산을 목표로 하는 LPDDR6까지 추격하면서 중국산 메모리의 기술 고도화 속도가 빨라지고 있다는 평가가 나온다.

중국은 소재·부품·장비(소부장) 국산화를 추진하는 동시에 샤오미, 화웨이 등 자국 제조사에 국산 메모리를 공급하며 반도체 생태계를 구축하고 있다. 자국 내 수요를 기반으로 대량 양산 경험을 축적하고 기술 경쟁력을 높이는 선순환 구조를 만들어가고 있다. 이에 CXMT는 불과 수년 만에 글로벌 메모리 시장 4위로 올라섰다. 시장조사업체 카운터포인트리서치에 따르면 올해 1분기 D램 시장 점유율은 삼성전자 38%, SK하이닉스 29%, 마이크론 22%, CXMT 8% 순이다.

특히 CXMT는 한국과 미국 기업들이 AI용 고대역폭메모리(HBM)와 최선단 공정에 역량을 집중하는 사이, 중국 정부의 지원을 바탕으로 레거시 D램과 낸드플래시 생산능력을 빠르게 확대하고 있다.

CXMT (사진=AFP)
CXMT (사진=AFP)
AI 가속기에 HBM 대신 LPDDR D램 쓰여



게다가 LPDDR이 위협적인 이유는 모바일 기기를 넘어 AI 인프라까지 활용 범위가 넓어지고 있기 때문이다. 여러 개의 LPDDR을 병렬로 연결하면 메모리 대역폭이 증가해 일부 AI 추론과 고성능 그래픽 분야에서는 고대역폭메모리(HBM)를 보완하거나 일부 대체할 수 있다.

중국 입장에서는 LPDDR의 중요성이 더욱 크다. 미국의 제재로 극자외선(EUV) 노광장비를 확보하지 못한 상황에서 HBM 개발이 지연되더라도 LPDDR 기반 솔루션으로 일정 수준의 AI 메모리 경쟁력을 확보할 수 있기 때문이다. HBM이 없어도 LPDDR을 여러개 놓으면 대역폭이 높아지는 효과가 있기 때문에 HBM 개발에 뒤처진 중국이 얼마든지 시간벌기가 가능하다. 최상위 AI 학습용 그래픽처리장치(GPU)에는 여전히 HBM이 필수지만, 전력 효율과 가격 경쟁력을 앞세운 LPDDR 활용 범위는 점차 확대되고 있다.

[이데일리 김일환 기자]
[이데일리 김일환 기자]
실제로 CXMT는 올해 상반기 HBM3 양산을 목표로 했지만 낮은 수율과 실리콘관통전극(TSV) 공정 안정화 문제로 본격 상용화 일정이 지연된 것으로 알려졌다.

LPDDR은 저전력 서버와 AI 가속기, 엣지 데이터센터 등으로 적용 범위를 넓히고 있다. 엔비디아 차세대 AI 플랫폼 ‘베라 루빈’에는 LPDDR5X 기반 소캠(SOCAMM)이 적용된다. 여러 개의 LPDDR5X 칩을 하나의 모듈로 구성해 높은 대역폭과 공간 효율을 확보해 AI 가속기에 채택되고 있다. HBM의 높은 가격과 공급 부족을 보완할 수 있는 대안으로도 주목받고 있다.

기술 격차 존재…기술 초격차 실행 필수적



LPDDR은 기기 내부에서 AI 모델을 구동하는 온디바이스 AI의 핵심 메모리다. 향후 온디바이스 AI 시장이 확대될수록 LPDDR6의 중요성도 더욱 커질 전망이다. CXMT의 LPDDR 기술 추격으로 차세대 AI 생태계 주도권 다툼이 본격화했다는 평가다.

다만 기술 격차는 여전히 존재한다. 삼성전자와 SK하이닉스는 올해 초 각각 16Gb(기가비트) LPDDR6를 공개했다. SK하이닉스는 업계 최초로 10나노급 6세대(1c) 공정을 적용한 16Gb LPDDR6를 개발했다. 최대 14.4Gbps의 데이터 전송 속도를 구현했으며 올해 하반기 양산을 앞두고 있다. 삼성전자 역시 1b 공정을 적용해 1.025V의 낮은 동작 전압에서 최대 14.4Gbps를 지원하는 LPDDR6를 선보였다.

CXMT의 LPDDR5X (사진=CXMT 홈페이지)
CXMT의 LPDDR5X (사진=CXMT 홈페이지)
전병서 중국경제금융연구소장은 “반도체 역사에서 1위 교체는 항상 예상보다 빠르게, 예상하지 못한 방식으로 이뤄졌다”며 “HBM5, HBM5E, 3D D램 로드맵은 선언이 아니라 실행이 중요하다. 한국 반도체가 생존하려면 차세대 패키징 기술 등을 선점하는 게 중요하다”고 말했다.

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