中 CXMT, 차세대 저전력 D램 양산 눈앞

[이데일리 김소연 기자] 중국 창신메모리(CXMT)가 차세대 저전력 D램인 LPDDR6의 연구개발(R&D) 막바지 단계에 진입했다. 중국이 저전력 D램 시장에서 삼성전자와 SK하이닉스를 위협할 수준까지 기술력을 끌어올렸다는 평가가 나온다.

2일 관련 업계와 중국 매체 등에 따르면 CXMT는 LPDDR6 개발 검증의 마지막 단계에 접어들며 하반기 양산 초읽기에 들어간 것으로 알려졌다. 이는 삼성전자와 SK하이닉스의 LPDDR6 양산 시점과 거의 비슷한 수준이다. CXMT는 2023년 LPDDR5, 지난해 말 LPDDR5X를 출시한 데 이어 LPDDR6 샘플 공급 단계에 진입했다.

LPDDR은 모바일 기기 등을 넘어 일부 저전력 서버, 인공지능(AI) 가속기, 엣지 데이터센터로 적용 범위가 빠르게 확대되고 있다. 그래픽저장장치(GPU) 옆에 여러 개의 LPDDR을 병렬로 연결하면 대역폭을 높일 수 있어, 일부 AI 추론과 고성능 그래픽 분야에서 고대역폭메모리(HBM)를 일부 대체할 가능성까지 거론된다.

CXMT의 LPDDR5X (사진=CXMT 홈페이지)

중국은 미국의 규제로 극자외선(EUV) 노광장비를 확보하지 못한 대신 심자외선(DUV) 기반 멀티 패터닝 기술을 활용하고 있다. CXMT가 LPDDR D램 속도전에 나서는 것은 EUV 노광장비 없이는 HBM 양산이 더뎌질 수 있는 만큼, 상대적으로 개발·양산이 수월한 LPDDR을 통해 기술 격차를 좁히려는 것이다. 현재 중국은 K메모리보다 한참 뒤처진 HBM2E까지 양산하고 있다. ‘이가 없으면 잇몸으로’ 반도체 굴기에 나서고 있는 것이다. 중국은 이를 샤오미, 오포, 비보 등 자국 스마트폰 제조사들에 주로 공급하면서 생태계 구축에 속도를 낼 것으로 전망된다.

다만 같은 LPDDR6라고 해도 기술 격차는 여전히 존재한다. 이를테면 삼성전자와 SK하이닉스의 제품은 최대 14.4 Gbps(초당 기가비트) 수준의 속도를 지원하는데, CXMT의 경우 최대 12.8Gbps 수준에 그친다.

김형준 차세대지능형반도체사업단장(서울대 명예교수)은 “추후 범용 메모리 시장은 중국 기업이 잠식할 가능성이 있다”며 “국내 기업들은 중국의 추격 속도보다 더 빠르게 (차세대 메모리 분야에서) 초격차 기술을 확보해 경쟁 우위를 유지해야 한다”고 말했다.

[이데일리 김일환 기자]