거세지는 中 D램 위협…CXMT, LPDDR5X도 출시 선언

[이데일리 김소연 기자] 중국의 반도체 추격이 더욱 거세지고 있다. 모바일 저전력 D램까지 중국 창신메모리(CXMT)가 최신 제품을 공식적으로 출시하며 쫓아오고 있다. 낸드플래시에 이어 D램에서도 중국이 빠르게 따라오며 D램을 놓고도 경쟁이 불가피해질 수 있다는 우려가 현실화하고 있다.

27일 업계에 따르면 중국 쿤밍에서 개최되는 전기전자공학자협회(IEEE) 국제 ASIC 컨퍼런스 2025에서 CXMT는 저전력 D램인 LPDDR5X 시리즈 제품을 공식 출시했다고 밝혔다.

CXMT는 지난 2023년에 LPDDR5를 공식적으로 상용화하면서 홈페이지에도 LPDDR5 출시를 게재했다. 2년 만에 LPDDR5X까지 공식적으로 출시를 알린 것이다. 이날 LPDDR5X의 구체적인 스펙을 공개하진 않았다. CXMT는 업계에서 현재 가장 얇은 두께인 0.58㎜ LPDDR5X도 개발하고 있다고 제시했다. 이번에 공개한 LPDDR5X 시리즈는 12GB, 16GB, 24GB, 32GB 용량을 포함한다.

[이데일리 김일환 기자]

CXMT가 공식 출시를 알렸던 LPDDR5. (사진=CXMT 홈페이지)

CXMT의 LPDDR5X의 실제 수율이나 발열 관리가 제대로 이루어졌는지는 알 수 없다. 다만 추격 속도가 가팔라지고 있다는 점은 분명해 보인다. 게다가 미국의 중국 기술 규제에도 중국 반도체의 기술 추격이 이루어지고 있다는 점은 국내 메모리 기업에는 우려 요소다.

저전력 D램은 온디바이스 인공지능(AI)에도 필수적인 AI 메모리 솔루션으로 주목받는다. 연산능력이 향상되는 동시에 전력 효율에 강점을 가진 LPDDR은 향후 다양한 수요처가 발생할 가능성이 크다.

중국 메모리 기업들은 자국 내 수요를 빨아들이며 메모리 양산 경험을 확대하고 있다. 샤오미·화웨이가 내놓는 스마트폰에 CXMT 메모리를 탑재하는 방식으로 중국 내에서 자국산 제품을 구매하면서 기술 경쟁력을 끌어올리고 있다.

앞서 삼성전자는 2021년에 16Gb LPDDR5X를 선보인 이후 업계 최고 수준의 10.7Gps(초당 10.7 기가비트) LPDDR5X를 내놓으며 온디바이스 AI에 대응하고 있다. SK하이닉스는 LPDDR5X, LPDDR5T와 같은 고성능 모바일 D램의 판매를 확대하고 있다. SK하이닉스의 LPDDR5T는 기존의 LPDDR5X 대비 동작 속도를 13% 높인 9.6Gbps로 성능을 업그레이드해 해놓은 제품이다.

삼성전자와 SK하이닉스는 연내 LPDDR6를 생산하며 내년부터 본격적으로 시장에 공급할 것으로 추정된다. CXMT는 LPDDR6 개발까지 돌입하겠다는 계획인데, 실제 구체적은 제품에서 성능의 차이는 있겠지만, 저전력 D램에서 4년여의 격차가 발생하고 있는 것으로 추정된다.

게다가 CXMT는 고대역폭메모리(HBM) 3세대 제품인 HBM3을 화웨이에 공급하는 등 HBM에서도 기술 추격을 이어오고 있다. 카운터포인트리서치는 중국의 CXMT의 전세계 D램 시장 점유율이 출하량(bit) 기준으로 2025년 7%에서 2027년에는 10%까지 늘어날 것으로 전망했다. 매출 기준으로 CXMT는 현재 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론에 이어 4위다. 최근 CXMT는 기업공개(IPO)에도 나서며 자금을 끌어들일 계획으로, 투자를 확대해 메모리 공급 규모는 더 커질 수 있다.

중국의 추격에 대해 최정구 카운터포인트 책임연구원은 “메모리 산업에서 가격은 경쟁 상황에 따라 유동적으로 변하기 때문에 물량의 중요성이 절대적”이라며 “미래에 대비한 과감한 투자가 요구된다”고 설명했다. 중국이 막대한 투자를 통해 한국 메모리 기업들 쫓아오고 있어 위협이 되기 충분한 상황이다. 당장 기술력이 따라오지 않더라도 가까운 미래에는 D램을 놓고 경쟁을 벌일 수 있다는 의미다.

업계 관계자는 “낸드플래시는 이미 중국이 많이 따라잡았고, D램도 안심할 수 없는 상황”이라며 “중국이 막대한 자본을 투입하며 추격에 나서고 있어, K반도체에 대한 선제적인 지원이 필요하다”고 강조했다.