HBM으로 은탑산업훈장 받은 SK하이닉스 임원…"도전·원팀이 핵심"

[이데일리 김응열 기자] SK하이닉스는 김춘환 부사장(R&D공정 담당)이 지난달 27일 서울 삼성동 코엑스에서 열린 ‘2024 산업기술 R&D 종합대전’에서 산업기술진흥(기술개발 부문) 유공자로 선정돼 은탑산업훈장을 받았다고 2일 밝혔다.

김춘환 SK하이닉스 부사장. (사진=SK하이닉스)

R&D대전은 국내 연구·개발(R&D) 성과를 알리고 산·학·연 협력을 촉진하고자 산업통상자원부가 주관하는 연례행사다. 이 자리에서는 기술 진흥 및 신기술 실용화에 공이 큰 기술인을 포상하는 ‘산업기술진흥 유공 및 대한민국 기술대상’ 시상식이 열린다.

산업훈장은 산업기술진흥 유공의 최고상격이다. 김 부사장은 이 부문에서 은탑산업훈장 수상의 영예를 안았다. D램과 낸드 플래시를 아우르며 국내 반도체 기술력 향상에 기여한 공을 인정받았다.

김 부사장은 1992년 SK하이닉스에 입사해 32년간 메모리 반도체 연구에 매진하며 첨단기술 개발을 이끌었다. 특히 고대역폭메모리(HBM)의 핵심인 TSV(Through Silicon Via) 요소기술 개발에 크게 기여했다. 개발 선행 단계부터 참여해 15년간 연구를 이어오며 HBM 공정의 기틀을 마련한 것으로 평가받는다.

김 부사장은 난도 높은 TSV 개발을 성공하기 위해 유관 부서들과 머리를 맞댔다. 치열한 협업 끝에 R&D 요소기술을 개발하고 제조·기술의 양산 품질을 고도화하며 패키징으로 이어지는 개발 모델을 완성했다. 이를 바탕으로 HBM 시장이 열리는 시점에 맞춰 제품을 내놓을 수 있었다.

TSV 외에도 김 부사장은 10나노급 5세대(1b) D램 미세 공정에 극자외선(EUV) 장비를 도입해 업계 최고 수준의 생산성과 원가 경쟁력을 확보하고 이를 6세대(1c) D램에도 확대 적용한 성과를 올렸다. 차세대 공정인 HKMG(High-K Metal Gate) 기술을 D램에 적용해 메모리 성능·효율을 높이기도 했다. 낸드플랫에서도 웨이퍼 본딩(Wafer Bonding) 기술을 개발해 초고층 낸드 생산에 필요한 핵심 요소기술을 확보했다.

김춘환 SK하이닉스 부사장. (사진=SK하이닉스)

김 부사장은 생태계 육성에도 집중했다. 국내외 반도체 학회 강연에 나서며 R&D 노하우를 공유했고 소재·부품·장비 협력사와의 기술 협력에도 꾸준히 힘써왔다.

이런 성공 스토리를 만들어 내기까지 그는 ‘도전 정신’과 ‘원팀’의 중요성이 컸다고 강조했다. 그는 “R&D 조직은 도전 정신을 바탕으로 한계를 정면으로 돌파하며 원가 경쟁력을 갖춘 기술을 개발하고 있다”며 “여기에 원팀 문화가 더해지며 시너지 효과가 창출됐다”고 설명했다.

그러면서 “특히 수많은 조직이 참여해 전사 기술 방향을 논의하는 등 견고한 협업 체계가 기술 리더십을 확보하는 데 큰 힘이 됐다”고 부연했다.

이어 “신규 요소기술 정의부터 기술 개발 착수, 안정적 제품 양산까지 전 과정에서 조직이 하나가 돼야만 목표를 달성할 수 있다”며 “실패를 두려워하지 말고 지속해서 도전하고 시도해야 한다”고 말했다.