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삼성전자는 2023년 5세대 10나노급 D램을 양산하는 한편, 하이케이 메탈 게이트(High-K Metal Gate) 공정 등 새로운 공정 기술 적용과 차세대 제품 구조를 통해 공정 미세화 한계를 극복할 계획이다. 현재 D램은 4세대 10나노급이 생산 중이다.
데이터 인텔리전스를 발전시킬 미래 D램 솔루션과 공정 미세화의 한계를 극복하기 위한 다양한 D램 기술도 공개했다. 삼성전자는 폭발적으로 증가하고 있는 데이터 사용량을 감당하기 위해 HBM-PIM, AXDIMM, CXL 메모리 등 다양한 시스템 아키텍처를 지원할 수 있는 차세대 D램 기술을 성장시킬 것이며, 이를 위해 글로벌 IT 기업들과 협력할 것이라고도 했다.
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또, 7세대 대비 단위 면적당 저장되는 비트(Bit)의 수를 42% 향상한 8세대 V낸드 512Gb(기가비트) TLC 제품도 공개했다. 이는 512Gb TLC 제품 중 업계 최고 수준이다.
삼성전자는 데이터센터, 인공지능 등 대용량 데이터가 필요한 다양한 고객 니즈에 대응하기 위해 QLC(쿼드 레벨셀) 생태계를 확대하고, 전력 효율도 개선해 고객들의 친환경 경영에 기여해 나갈 계획이다.
이 사장은 “삼성전자가 약 40년간 만들어낸 메모리의 총 저장용량이 1조 기가바이트(GB)를 넘어서고, 이중 절반이 최근 3년간 만들어졌을 만큼 우리는 급변하는 디지털 전환을 체감하고 있다”며 “향후 고대역폭, 고용량, 고효율 메모리를 통해 다양한 새로운 플랫폼과 상호진화하며 발전해 나갈 것”이라고 밝혔다.
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박용인 삼성전자 시스템LSI사업부장 사장은 “사물이 사람과 같이 학습과 판단을 해야 하는 4차 산업혁명 시대에서 인간의 두뇌, 심장, 신경망, 시각 등의 역할을 하는 시스템 반도체의 중요성은 그 어느 때보다 커질 것”이라고 강조했다.
이어 4차 산업혁명 시대에는 초지능화(Hyper-Intelligence), 초연결성(Hyper-Connectivity), 초데이터(Hyper-Data)가 요구된다고 전망하고, 이를 위해 인간의 기능에 근접하는 성능을 제공하는 최첨단 시스템 반도체를 개발하겠다고 밝혔다. SoC에서는 NPU, 모뎀 등과 같은 주요 IP의 성능을 향상시키는 동시에 글로벌 파트너사들과 협업해 업계 최고 수준의 CPU, GPU를 개발하는 등 SoC의 핵심 경쟁력을 강화할 계획이다.
시스템LSI 사업부는 이날 부스 전시를 통해 SoC제품과 차량용 5G 모뎀 등 첨단 시스템반도체 제품도 공개했다.
삼성 테크 데이는 삼성전자의 차세대 반도체 기술을 선보이는 자리로 2017년 시작됐다. 이번 행사는 2019년 이후 3년 만에 오프라인으로 진행됐다.
올해 삼성 테크 데이는 글로벌 IT 기업과 애널리스트, 미디어 등 800여 명이 참석한 가운데 진행됐다.
