15일 오전 윤석열 대통령의 네덜란드 국빈방문 동행을 마치고 귀국한 이 회장은 서울 강서구 서울김포비즈니스항공센터에서 취재진과 만나 미소를 띠며 이같이 말했다.
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경 사장은 “경기도 동탄에 ASML과 삼성전자가 공동연구소를 짓고 하이 NA(뉴메리컬어퍼처) EUV(극자외선)를 들여와 기술을 개발하는 게 주목적”이라며 “하이 NA EUV의 기술적 우선권을 삼성전자가 갖고 장기적으로는 D램과 로직(시스템반도체)에서 하이 NA EUV를 더 잘 쓸 수 있는 계기를 만든 것”이라고 자평했다.
이어 “EUV가 가장 중요한 툴 중 하나이고 전체적인 반도체 공급망에서 튼튼한 우군을 확보했다”며 “공동연구로 삼성전자와 ASML의 협력관계를 맺어가는 게 중요하다”고 강조했다.
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삼성전자는 이번 MOU로 첨단 메모리 개발에 필요한 차세대 EUV 활용 공정 기술을 조기에 개발해 확보할 계획이다. 삼성전자와 ASML 기술진이 한 데 모여 실시간 소통·협력하는 만큼 EUV 장비로 반도체 검증·양산 테스트뿐 아니라 삼성전자가 원하는 사양을 차세대 EUV 장비에 반영할 가능성도 점쳐진다. 삼성전자는 EUV 장비 활용 노하우도 더 빠르게 축적할 수 있을 전망이다.
ASML은 반도체업계에서 ‘슈퍼 을(乙)’로 불린다. 초미세공정에선 EUV 장비가 필수인데 공급이 적다. ASML이 독점생산하고 생산가능 수량은 1년에 40~50대뿐이다. 삼성전자와 TSMC 등 많은 반도체기업들이 ASML에 연일 러브콜을 보내는 이유다.
EUV는 특히 파운드리(반도체 위탁생산)에서 활용이 두드러지는데 이번에 공동기술 개발에 나서는 하이 NA EUV는 2나노미터(nm· 1㎚는 10억분의 1m) 이하 초미세공정에 활용하기 좋다. 현재 삼성전자와 TSMC 등 파운드리업계는 3나노 경쟁을 진행 중이고 내후년부터는 2나노 경쟁이 본격화할 예정이다. 삼성전자는 기존 핀펫공정보다 개선된 GAA(게이트올어라운드) 공정을 3나노에 적용하며 TSMC보다 먼저 GAA 노하우를 쌓아왔는데 EUV 역량까지 끌어올리며 2나노 경쟁에서 유리한 고지를 점할 수 있을 전망이다.