차세대 통신·D램 성과 인정…삼성전자, 美IEEE 펠로우 배출

[이데일리 공지유 기자] 송기봉 삼성전자 부사장과 한진우 상무가 세계 최대 규모 전기·전자·컴퓨터·통신 분야 학회인 미국 전기전자공학회(IEEE)의 내년도 석학회원(펠로우)으로 선정됐다. 차세대 이동통신 기술 및 메모리 기술에서의 성과를 인정받았다.

IEEE 펠로우는 미국 전기전자공학회가 회원에게 부여하는 최고 명예 등급이다. 전체 회원의 상위 0.1%만 오를 수 있다. 매년 IEEE 이사회가 전기·전자공학 전반에서 10년 이상 경험을 쌓고 산업과 사회 발전에 기여한 인물을 대상으로 기준에 따라 선정한다.

송기봉 삼성전자 반도체(DS)부문 미주 반도체연구소(DSRA) 시스템LSI 연구소장 부사장.(사진=삼성전자)

이번에 IEEE 펠로우로 선정된 송기봉 삼성전자 반도체(DS)부문 미주 반도체연구소(DSRA) 시스템LSI 연구소장 부사장은 모뎀, 커넥티비티, 온디바이스 인공지능(AI), 시스템 온 칩(SoC) 기술 개발을 이끌고 있다. 송 부사장은 오랜 기간 셀룰러 통신 분야에서 모뎀-고주파(RF) 시스템 설계 및 성능 최적화에 기여했다.

이번 펠로우 선정에도 업계 최초 5G 모뎀 개발과 엑시노스 모뎀 5400과 엑시노스 2500에 적용된 비지상 네트워크(NTN) 기술 기반 ‘위성 응급 서비스’ 구현 등 차세대 이동통신 기술의 상용화를 이끈 성과가 높은 평가를 받았다. 송 부사장은 “앞으로 더 뛰어난 반도체 기술과 제품 개발로 사회에 기여할 것”이라고 말했다.

미주 반도체연구소는 앞으로 6G와 피지컬 AI 시대에 맞게 통신, 연산, 센싱이 만나는 지점을 중심으로 새로운 반도체 기술과 제품을 만들며 미래 혁신을 주도해 나간다는 계획이다. 송 부사장은 “6G와 피지컬 AI 시대가 본격화하면 시스템 반도체의 역할과 발전 가능성은 더욱 확대될 것”이라고 강조했다.

한진우 삼성전자 DS부문 반도체연구소 D램 TD팀 상무.(사진=삼성전자)

IEEE 펠로우에 선정된 또 다른 리더인 한진우 삼성전자 DS부문 반도체연구소 D램 TD팀 상무는 반도체 미세화 한계를 극복하기 위한 차세대 3D D램 연구 성과를 인정받았다. 3D D램은 D램 셀을 평면이 아닌 수직 방향으로 쌓아 칩 면적당 저장 용량을 확장하는 방식으로, 차세대 메모리 기술 핵심으로 주목받고 있다. 한 상무는 3차원 구조를 메모리 셀에 적용하는 D램 개발을 주도하고 있다.

한 상무는 “그동안 D램은 셀을 평면 위에 촘촘하게 배치해 면적당 데이터 용량을 높여 왔지만, 미세화가 진행될수록 트랜지스터 누설전류 증가와 셀 간 간섭 등 근본적 한계가 나타났다”며 “3D D램은 단위 셀의 크기를 키워 누설전류 특성을 회복하고, 인접한 셀 사이 간격을 넓혀 간섭을 최소화할 수 있다”고 말했다.

한 상무는 또 “최근 AI의 일상화로 데이터의 가치를 높이는 기술이 새 기회 요인으로 부상하고 있다”며 “여러 층의 메모리 신호를 빠르고 안정적으로 연결하는 3D 구조 구현 기반이 되는 웨이퍼 본딩에 주목하고 있다”고 했다.

삼성전자는 “두 리더의 IEEE 펠로우 선정은 한국 반도체 기술이 세계 무대에서 인정받고 있음을 보여주는 이정표”라며 “글로벌 연구자들과 함께 반도체의 다음 가능성을 탐구하며 새 시대를 여는 기술을 만들어 갈 예정”이라고 밝혔다.