이번 전시에서 DB하이텍은 업계 최고 수준의 기술력을 확보하고 있는 BCDMOS(복합전압소자)를 포함해 특화 이미지센서 공정, 차세대 전력반도체로 주목받고 있는 SiC(실리콘카바이드)·GaN(갈륨나이트라이드) 공정 등의 최신 개발 현황을 공유할 계획이다. 최근 DB하이텍이 미래 성장 동력으로 역량을 집중하고 있는 SiC와 GaN 전력반도체 공정이 이번 전시의 주축이 될 예정이다.
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GaN 8인치 공정은 650V HEMT(고전자 이동도 트랜지스터) 특성을 확보했으며, 올해 안으로 신뢰성 확보를 마칠 계획이다. 회사는 또 오는 10월 GaN 전용 멀티프로젝트웨이퍼(MPW)를 운영해 고객들의 제품 평가를 적극 지원할 예정이다.
반도체·전자 분야 시장조사전문기관 욜 디벨롭먼트에 따르면 글로벌 SiC, GaN 전력반도체 시장 규모는 2024년 36억달러(3조9000억원)에서 2027년 76억달러(8조3000억원)까지 확대할 전망이다. 연평균 27.6%의 높은 성장이 기대된다.
DB하이텍은 이번 전시에 대해 “팹리스 고객 지원과 협업에서 글로벌 고객사로부터 높은 평가를 받고 있는 당사의 강점을 유럽 고객들에게도 알리는 기회가 될 것”이라고 했다.
반도체 파운드리(위탁생산)업체인 DB하이텍은 8인치에 특화된 아날로그 및 전력 반도체 공정을 주로 제공하고 있다. 유럽 고객의 비중은 타 지역에 비해 비교적 낮은 편으로, 이번 전시에서 성장하는 유럽 시장의 신규 고객을 발굴하고, 기존 고객과의 미래 사업 협력을 통해 유럽 파운드리 서비스를 강화하고자 한다.
현재 DB하이텍은 400개 기업과 양산을 진행하고 있으며, 아날로그 및 전력 반도체 제품의 8인치 누적 출하량은 600만장에 이른다. 이 외에도 엑스레이, 글로벌셔터, SPAD(단일광자 포토다이오드)와 같은 특화 이미지 센서 공정 기술 경쟁력을 확보해 다양한 업체와 양산을 진행하고 있다. 응용 제품으로는 모바일, 소비가전, 산업용에 더해 최근 차량용 제품의 생산 비중이 지속 증가하고 있다.